반도체 초격차 확보 위해 전부처 합심

안덕근 산업통상자원부 장관이 21일 SK 하이닉스 용인 반도체 일반산단을 방문했습니다.

 

이곳은 2019년 조성 계획 발표 후 인·허가 문제로 개발이 지연됐으나 2022년 당·정·지자체·기업 간 상생협약 체결로 사업이 본궤도에 올랐습니다.

 

1기 팹(Fab) 부지 조성 공사는 현재 35%의 공정률을 보이며 차질 없이 진행되고 있으며 내년 3월 생산 Fab 1기가 착공될 예정입니다. 완공되면 세계 최대 규모의 3층 Fab이 될 것으로 보입니다. 오는 2046년까지 총 4기의 Fab이 구축됩니다.

 

 

이날 기업 간담회에서 안덕근 장관은 인프라 적기 구축, 초격차 기술 확보와 수출 확대 지원, 반도체 소부장·팹리스 생태계 강화를 약속했습니다.

 

산업부는 클러스터 내 인프라 구축 지원을 위해 지난 2월 전력공급 전담반(TF)을 발족했으며, 이달 말까지 첨단특화단지 지원 전담부서를 설치하고 ‘첨단전략산업 특화단지 종합 지원 방안’ 마련할 계획입니다.

 

또 인공지능(AI) 반도체 시장 선점을 위한 종합 전략과 반도체 장비 경쟁력 강화 방안도 상반기 중 발표할 예정입니다.

 

안덕근 장관은 “반도체 초격차 확보의 관건은 속도에 있는 만큼 우리 기업이 클러스터 속도전에서 뒤처지지 않도록 전 부처가 합심해 대응하겠다”고 밝혔습니다.

 

 

원문출처: 산업통상자원부 경제뉴스